導(dǎo)語(yǔ)：如何才能寫(xiě)好一篇化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)，這就需要搜集整理更多的資料和文獻(xiàn)，歡迎閱讀由公文云整理的十篇范文，供你借鑒。

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關(guān)鍵詞：不銹鋼；拋光；拋光傳統(tǒng)工藝；化學(xué)機(jī)械拋光方式

不銹鋼的發(fā)展已經(jīng)經(jīng)過(guò)了近百年的歷程，由于其具有的獨(dú)特的耐蝕性能，良好的加工性能以及精美的表面外觀，不銹鋼已經(jīng)被應(yīng)用于眾多領(lǐng)域，尤其在航天航空、原子能、軍工、輕工、建材和太陽(yáng)能利用等方面得到普及和推廣。目前建筑裝飾市場(chǎng)日新月異，裝修檔次逐步提高，在外裝修上已越來(lái)越多地使用了鏡面不銹鋼裝飾面。而拋光是不銹鋼應(yīng)用在裝飾行業(yè)中很重要的一個(gè)環(huán)節(jié)，其目的是獲得最終的鏡面（8K）不銹鋼。

1 鏡面不銹鋼表面拋光質(zhì)量評(píng)價(jià)

8K表面（No.8）即鏡面拋光表面，反射率高，反射圖像清晰，通常用解像度和表面缺陷率來(lái)衡量鏡面不銹鋼質(zhì)量，一般用目測(cè)法進(jìn)行評(píng)定，有文獻(xiàn)中提出了如下判定標(biāo)準(zhǔn)：1級(jí)為表面光亮如鏡，能清晰地看到人的五官和眉毛；2級(jí)為表面光亮，能看到人的五官和眉毛，但眉毛部分不清晰；3級(jí)為表面光亮較好，能看到的人的五官和輪廓，眉毛部分模糊；4級(jí)為表面有光澤，但看不清人的五官；5級(jí)為表面無(wú)光澤，發(fā)白。

2 不銹鋼拋光傳統(tǒng)工藝

獲取高質(zhì)量的鏡面不銹鋼主要采用的拋光技術(shù)有：電解拋光、化學(xué)拋光和機(jī)械拋光。

2.1 電解拋光

電解拋光工藝是將不銹鋼浸泡在電解液中的一種拋光工藝，在此工藝中不銹鋼作為陽(yáng)極，借助直流電流通過(guò)電解質(zhì)特定溶液傳遞到金屬，在陽(yáng)極工件表面形成一種高電阻率的稠性黏膜，稠性黏膜在不銹鋼制品表面微觀凹凸處厚度不同，導(dǎo)致陽(yáng)極表面電流密度的微觀分布不均勻，凸起處電流密度大，溶解快，凹處電流密度小，溶解慢，從而降低不銹鋼表面粗糙度，提高平整和亮度，同r形成無(wú)缺陷的鈍化層。

電解拋光液中必須含有足量的氧化劑，切不能有破壞鈍化膜的活性離子存在。

2.2 化學(xué)拋光

化學(xué)拋光和電解拋光原理相似，將不銹鋼置于一定組成的溶液中，其表面微觀凸起部分的溶解速度大于微觀凹入部位的溶解速度，而使不銹鋼表面平整、光潔?？梢钥闯觯夯瘜W(xué)拋光方法和電解拋光方法的原理基本一致，只是電解拋光在加入了電壓電解的強(qiáng)制作用下加速對(duì)凸起部分的溶解，而化學(xué)拋光方法則完全依靠溶液的自腐蝕能力使不銹鋼表面平整。

2.3 機(jī)械拋光

機(jī)械拋光是指在高速旋轉(zhuǎn)的黏有拋光膏的拋光輪上機(jī)械消除不銹鋼表面凹凸不平而獲得光亮表面的加工方式。拋光輪根據(jù)其制成布料種類的不同，用來(lái)區(qū)分其粒度級(jí)別，而結(jié)構(gòu)形式主要有縫合式、折疊式等。拋光膏則根據(jù)拋光需要由拋光能力強(qiáng)的氧化鉻和黏結(jié)劑組成的綠拋光膏，也有由磨料、有機(jī)膏體、添加劑組成的拋光蠟。

機(jī)械拋光一般分為粗拋、精拋，兩個(gè)階段層層遞進(jìn)。配合不同的拋光膏和拋光輪，在機(jī)械旋轉(zhuǎn)的作用下最終獲得反射圖像清晰的鏡面不銹鋼。隨著不銹鋼冷軋工藝技術(shù)的提高，國(guó)內(nèi)能穩(wěn)定生產(chǎn)出表面粗糙度極小的BA表面，當(dāng)用戶選擇BA不銹鋼進(jìn)行鏡面拋光操作，不再需要粗拋工序。目前針對(duì)來(lái)料板材一般選擇的機(jī)械拋光工藝如表1所示。

表1 機(jī)械拋光常見(jiàn)工藝組合

3 新型化學(xué)機(jī)械拋光方式

隨著對(duì)鏡面不銹鋼表面質(zhì)量要求的不斷提高，同時(shí)為了提高拋光效率，將化學(xué)拋光和機(jī)械拋光相結(jié)合的一種新型拋光技術(shù)即化學(xué)機(jī)械拋光法得以發(fā)展和完善。在一定組成的溶液中對(duì)不銹鋼表面進(jìn)行機(jī)械拋光，通過(guò)化學(xué)溶液提高不銹鋼表面活性，同時(shí)進(jìn)行高速的機(jī)械拋光，用來(lái)消除表面凹凸而獲得更高質(zhì)量的光潔鏡面。

3.1 化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備

化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備要求較高，在化學(xué)法的基礎(chǔ)上要增加機(jī)械拋光系統(tǒng)，目前主要的化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備分為單輪化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)、多輪化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)。多輪機(jī)械拋光機(jī)中有4輪、5輪、48輪等。隨設(shè)備制造能力的提高，最近也有96輪、128輪的化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)投入使用。

3.1.1 單輪化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)

在鏡面品質(zhì)要求極高、對(duì)加工效率要求不高、人工成本較低的工廠，一般配備單輪化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)。該設(shè)備在一個(gè)裝有固定板材裝置的加工平臺(tái)上安裝機(jī)械拋光輪?？梢苿?dòng)覆蓋整個(gè)加工平臺(tái)的伸長(zhǎng)臂上安裝變頻或非變頻電動(dòng)機(jī)，連接上拋光輪。通過(guò)人工壓下力在固定組成的溶液中對(duì)不銹鋼表面進(jìn)行機(jī)械拋光。

單輪機(jī)械拋光機(jī)有節(jié)省成本、防止表面過(guò)拋、局部自由修復(fù)缺陷等優(yōu)點(diǎn)。但缺點(diǎn)就在于工作環(huán)境較差、加工效率低、拋光溶液回收不完全等問(wèn)題。

3.1.2 多輪化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)

為解放人力，同時(shí)提高加工效率，一些自動(dòng)化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)被設(shè)計(jì)出來(lái)，如上所介紹，目前自動(dòng)多輪化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)的拋光輪從4個(gè)到128個(gè)之多，這樣的設(shè)備大大提高了加工效率，同時(shí)對(duì)設(shè)備和加工技術(shù)也提出了更高要求。

多輪化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)和單輪化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)基本相同，只是引進(jìn)了自動(dòng)控制系統(tǒng)，通過(guò)拋光輪軸的橫向擺動(dòng)覆蓋整個(gè)加工臺(tái)面，通過(guò)液壓或者氣壓系統(tǒng)控制拋光輪的壓下力。設(shè)定固定的拋光時(shí)間后對(duì)加工后板面進(jìn)行清洗、烘干，檢查表面質(zhì)量，同時(shí)配備拋光溶液循環(huán)使用設(shè)備使拋光溶液循環(huán)再利用。

3.2 化學(xué)機(jī)械拋光溶液

如前所述，化學(xué)機(jī)械拋光方式結(jié)合了化學(xué)法和機(jī)械法的原理，故拋光溶液需要對(duì)不銹鋼凸起部位有溶解作用。在實(shí)際拋光過(guò)程中發(fā)現(xiàn)，雖然濃硝酸能夠鈍化不銹鋼，形成致密的鈍化膜，但含量很低的稀硝酸卻能促進(jìn)不銹鋼的腐蝕。另為了提高磨拋能力，同時(shí)中和酸溶液，防止硝酸對(duì)不銹鋼的過(guò)度腐蝕，在溶液中添加適量的氧化鋁或者氧化鐵粉，有些為了拋光效果也添加少量專用研磨液。

3.3 化學(xué)機(jī)械拋光參數(shù)對(duì)拋光質(zhì)量的影響

張強(qiáng)對(duì)化學(xué)機(jī)械拋光工藝進(jìn)行了系統(tǒng)的分析，該論文在實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行，深入研究拋光液的壓力載荷、拋光時(shí)間、拋光線速度、pH值對(duì)拋光質(zhì)量的影響，成功得出了各參數(shù)對(duì)材料拋光去除率的線性關(guān)系。

4 拋光工藝比較

應(yīng)用在不同行業(yè)上，上述四種拋光加工方式各有優(yōu)劣，對(duì)這四種拋光工藝進(jìn)行比較，生產(chǎn)廠家可根據(jù)自身特點(diǎn)選擇適宜的工藝方法。

4.1 設(shè)備和使用范圍比較

四種拋光工藝對(duì)設(shè)備要求，工件、環(huán)境等方面的要求不盡相同，常見(jiàn)差異見(jiàn)表2。

表2 四種拋光工藝差異性比較

4.2 常見(jiàn)失效情況

拋光加工工藝不同，在拋光過(guò)程中出現(xiàn)的失效形態(tài)、缺陷形式也不同，筆者結(jié)合多年對(duì)客戶不銹鋼拋光后產(chǎn)品質(zhì)量的反饋，對(duì)一些常見(jiàn)的失效形態(tài)及原因、防范措施列舉如表3。

表3 常見(jiàn)拋光缺陷分析及改進(jìn)措施

5 行業(yè)展望

（1）化學(xué)機(jī)械拋光對(duì)環(huán)境污染最小，鏡面拋光質(zhì)量最好，但受制于對(duì)工件的形狀要求，在電子行業(yè)、制品行業(yè)以及其他異型件行業(yè)很難得到推廣。

（2）化學(xué)機(jī)械拋光采用的溶液組成十分關(guān)鍵，各拋光加工行業(yè)對(duì)酸的種類選擇、濃度控制差異較大，返修率較高。需對(duì)溶液組成進(jìn)行深入摸索，使化學(xué)機(jī)械拋光工藝技術(shù)進(jìn)一步優(yōu)化。

6 結(jié)束語(yǔ)

總之，不銹鋼應(yīng)用廣泛。為提高不銹鋼表面質(zhì)量，滿足裝飾行業(yè)發(fā)展需求，如何改進(jìn)和提高傳統(tǒng)的拋光工藝技術(shù)水平，并根據(jù)需要開(kāi)發(fā)新的更好更先進(jìn)的表面拋光技術(shù)，不斷提升拋光基材表面質(zhì)量，則成為了一項(xiàng)重要的任務(wù)。文章通過(guò)羅列不銹鋼拋光傳統(tǒng)工藝以及新型化學(xué)機(jī)械拋光方式，對(duì)不同的拋光工藝進(jìn)行了對(duì)比分析，闡述了各種拋光工藝的特性、優(yōu)缺點(diǎn)以及如何應(yīng)用這些工藝技術(shù)對(duì)不銹鋼進(jìn)行表面拋光，為相關(guān)研究提供參考。

參考文獻(xiàn)：

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關(guān)鍵詞：微電子封裝；TSV；金屬化；鍵合；DRAM

引言

自1965年“摩爾定律”[1]提出以來(lái)，微電子器件的密度幾乎沿著“摩爾定律”的預(yù)言發(fā)展。到了今天，芯片特征尺寸達(dá)到22nm，再想通過(guò)降低特征尺寸來(lái)提高電路密度不僅會(huì)大幅提高成本，還會(huì)降低電路的可靠性。為了提高電路密度，延續(xù)或超越“摩爾定律”，微電子制造由二維向三維發(fā)展成為必然。其方法之一就是將芯片堆疊以后進(jìn)行封裝，由此產(chǎn)生了三維電路封裝技術(shù)（3D IC packaging）。三維電路封裝技術(shù)中，芯片電極是通過(guò)金線鍵合的技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)電路的導(dǎo)通。如圖1a所示，隨著芯片疊層的增加，鍵合金線將占用大量的空間。同時(shí)由于連接的延長(zhǎng)使得電路能耗升高、速度降低。因此，業(yè)界需要一種方法，能夠使得硅芯片在堆疊的同時(shí)實(shí)現(xiàn)電路的導(dǎo)通，從而避免采用硅芯片以外的線路連接。傳統(tǒng)半導(dǎo)體工藝主要是針對(duì)硅圓片表明進(jìn)行加工并形成電路，而要實(shí)現(xiàn)硅芯片上下層之間的連接，需要一種能貫通硅芯片的加工工藝，即TSV技術(shù)（圖1b）。早在1958年，半導(dǎo)體的發(fā)明人William Shockley，在其專利中就提到過(guò)硅通孔的制備方法[2]。而TSV（through-silicon via）工藝的概念在1990年代末才提出，香港應(yīng)用技術(shù)研究院和臺(tái)灣半導(dǎo)體制造公司于1998年申請(qǐng)相關(guān)美國(guó)專利[3，4]，而關(guān)于TSV技術(shù)最早的于2000年[5]。相比傳統(tǒng)金線鍵合，TSV技術(shù)不僅能減少金線所占用的平面尺寸，由于減少了金線焊點(diǎn)使得Z軸方向達(dá)到最密連接，三維尺寸達(dá)到最?。煌瑫r(shí)TSV技術(shù)降低了連接長(zhǎng)度，可有效降低芯片能耗，提高運(yùn)行速度。

（a）金線鍵合技術(shù) （b）TSV技術(shù)

TSV制造工藝分以下幾個(gè)步驟，分別是：通孔制造，絕緣層、阻擋層制備，通孔金屬化，芯片減薄和鍵合?？偟脕?lái)說(shuō)TSV技術(shù)難度遠(yuǎn)大于傳統(tǒng)金線鍵合技術(shù)。

1.1 TSV孔制造

雖然TSV稱為硅通孔技術(shù)，但是在加工過(guò)程中大多數(shù)是對(duì)盲孔進(jìn)行加工，只有在其后減薄階段打磨芯片底部，露出填充金屬，才使得孔成為真正的通孔。TSV工藝的第一步就是盲孔的制造（圖2a）。TSV的盲孔制造有三種方法，分別是干法刻蝕、濕法刻蝕和激光鉆孔。干法刻蝕是使用等離子氣體轟擊材料表面達(dá)到刻蝕效果的方法；而濕法刻蝕是使用化學(xué)溶劑來(lái)刻蝕材料表面。相比之下干法刻蝕具有刻蝕速率高、方向性好，可以制造大深寬比的孔、刻蝕速率可控性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，但是相對(duì)成本較高，總得來(lái)說(shuō)干法刻蝕是通孔制造中最常用的方法[6]。而激光打孔加工速率更高，但是由于熱損傷使得通孔的精度下降，因此使用較少。

1.2 絕緣層、阻擋層制備

如圖2 b所示，由于Si是半導(dǎo)體，通常在Si基體上沉積金屬前都需要制備一層絕緣層，絕緣層為SiO2或SiNx，通過(guò)增強(qiáng)等離子體化學(xué)氣相沉積（PECVD）方法制備。另外為了防止金屬擴(kuò)散進(jìn)入基體，還需要在絕緣層上制備一層阻擋層。阻擋層通常由TiNx組成，通過(guò)有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積（MOCVD）制備。

1.3 通孔金屬化

目前TSV金屬化過(guò)程中最常用的金屬是Cu。通孔金屬化是TSV技術(shù)中的難點(diǎn)，其成本占TSV工藝成本40%以上。通常芯片制造中，金屬導(dǎo)體層通過(guò)物理氣相沉積（PVD）方法制備。相對(duì)只有幾十納米的導(dǎo)線，若寬度達(dá)到5～100m、深度達(dá)到50～30m的TSV通孔也用PVD方法制備，其所耗費(fèi)的時(shí)間就是業(yè)界所不能允許的。因此TSV中通孔金屬化通常是使用電鍍的方法來(lái)進(jìn)行。但是由于Si基體導(dǎo)電性差，不適合進(jìn)行電沉積，所以金屬化必須分兩步完成金屬化：先使用PVD方法沉積厚度為數(shù)個(gè)納米的種子層（圖2c），使得硅基板具有導(dǎo)電性，然后在進(jìn)行電鍍過(guò)程來(lái)完成金屬化（圖2d）。此方法與大馬士革電鍍相似。

與大馬士革電鍍不同的是由于TSV通孔通常深寬比較大，約在1：1與10：1之間。由于在電鍍過(guò)程中孔口電力線比較密集，若采取傳統(tǒng)電鍍工藝，孔口將快速生長(zhǎng)，導(dǎo)致孔洞閉合，使孔內(nèi)難以得到金屬沉積。因此TSV工藝中通常對(duì)鍍液進(jìn)行調(diào)整來(lái)滿足工藝要求，即在鍍液中添加加速劑、抑制劑和整平劑。最常用的加速劑是聚二硫二丙烷磺酸鈉（SPS），SPS能在電鍍中起到催化作用，提高Cu2+沉積速率[7]；最常用抑制劑為聚乙二醇（PEG），PEG的存在能較大的抑制電極的活性，從而降低沉積速率。最常用的整平劑為煙魯綠（JGB）。由于PEG分子鏈較大，不容易進(jìn)入通孔內(nèi)部，從而容易聚集在孔口，使得孔口處金屬生長(zhǎng)得到抑制[8]。相反SPS由于分子量較小，更容易進(jìn)入通孔內(nèi)部，特別是聚集在通孔底部，使得通孔底部的金屬生長(zhǎng)得到加速。JGB在生產(chǎn)中是不可缺少的添加劑，它的存在有利于加速劑向微孔中傳質(zhì)[9]，同時(shí)JGB會(huì)與PEG純?cè)趨f(xié)同作用，將產(chǎn)生2倍于單獨(dú)添加劑的抑制效果[10]。在加速劑、抑制劑和整平劑的共同作用下金屬化過(guò)程自底部而上，使整個(gè)通孔都得到填充。

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關(guān)鍵詞：ULSI Low-K介質(zhì) Cu互連

中圖分類號(hào)：TN47 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A 文章編號(hào)：1674-098X（2013）04（c）-0119-02

如今，半導(dǎo)體工業(yè)飛速發(fā)展，人們對(duì)于電子產(chǎn)品的功能和體積也提出了進(jìn)一步的要求，因而，提高集成電路的集成度、應(yīng)用新式材料和新型布線系統(tǒng)以縮小產(chǎn)品體積、提高產(chǎn)品穩(wěn)定性勢(shì)在必行。根據(jù)Moore定律，IC上可容納的晶體管數(shù)目，約每隔18個(gè)月便會(huì)增加一倍，性能也將提升一倍。日益減小的導(dǎo)線寬度和間距與日益提升的晶體管密度促使越來(lái)越多的人把目光投向了低介電常數(shù)材料在ULSI中的應(yīng)用。另一方面，金屬鋁（Al）是芯片中電路互連導(dǎo)線的主要材料，然而，由表1可知，金屬銅（Cu）的電阻率比金屬鋁（Al）低40%左右，且應(yīng)用Al會(huì)產(chǎn)生更明顯的互聯(lián)寄生效應(yīng)。因而應(yīng)用金屬銅（Cu）代替金屬鋁（Al）作為互連導(dǎo)線主要材料就成為集成電路工藝發(fā)展的必然方向[1]。（如表1）

1 低介電常數(shù)材料（Low-K）

一直以來(lái)，有著極好熱穩(wěn)定性、抗?jié)裥缘亩趸瑁⊿iO2）是金屬互連線路間使用的主要絕緣材料。如今，低介電常數(shù)材料（Low-K）因其優(yōu)良特性，逐步在IC產(chǎn)業(yè)被推廣應(yīng)用。

Low-K材料基本可以分為無(wú)機(jī)聚合物與有機(jī)聚合物這兩大類，常見(jiàn)Low-K材料有：納米多孔SiO2、SiOF氟硅玻璃（FSG）、SiOC碳摻雜的氧化硅（Black Diamond）、SiC：N氮摻雜的碳化硅HSQ（Hydrogen Silsesquioxane）、空氣隙。Low-K材料制備及其介電常數(shù)值見(jiàn)表2。

現(xiàn)階段的研究認(rèn)為，通過(guò)降低材料的自身極性與增加材料中的空隙密度是主要的兩種降低材料介電常數(shù)的方法。首先，從降低材料自身極性的方法來(lái)看，包括降低材料中電子極化率（electronic polarizability），離子極化率（ionic polarizability）以及分子極化率（dioplar polarizability）等方法[2]。

此外，由Debye方程：（式中為材料介電常數(shù)，為真空介電常數(shù)，與分別為電子極化和分子形變極化，N為分子密度），不難看出，可以通過(guò)增加材料中的空隙密度從而達(dá)到降低材料的分子密度，這就是降低介電常數(shù)的第二種方法。

針對(duì)上文所述的第一種方法中，在SiO2中摻雜F元素制成SiOF（亦即FSG，見(jiàn)表2）的方法在0.18μm技術(shù)工藝中得到了廣泛的應(yīng)用。而且，人們發(fā)現(xiàn)，通過(guò)在SiO2中摻雜C元素能夠在降低材料的介電常數(shù)上獲得更好的效果。其原理是：利用了材料中形成，以Si-C和C-C鍵為基礎(chǔ)的低極性網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，達(dá)到了降低材料介電常數(shù)的效果。基于此項(xiàng)的研究，諸如無(wú)定形碳薄膜的研究，已可以將材料的介電常數(shù)降低到3.0或更低[3]。

2 互連線材料――銅（Cu）

隨著集成電路（IC）的發(fā)展，電路特征尺寸不斷縮小，芯片內(nèi)部連線密度不斷提高，金屬布線層數(shù)急速增加（見(jiàn)圖3），隨之而來(lái)的是器件門(mén)延遲的相對(duì)縮小和互連延遲的相對(duì)增加，增加的互連線電阻R和寄生電容C使互連線的時(shí)間常數(shù)RC大幅度的提高（見(jiàn)圖4）?；ミB中的電阻（R）和電容（C）所產(chǎn)生的寄生效應(yīng)（Parasitic effects）越來(lái)越明顯。

在深亞微米（0.25μm及其以下）工藝下，互連延遲已經(jīng)超過(guò)門(mén)延遲成為制約各項(xiàng)性能的主要瓶頸[4]。由于互連寄生效應(yīng)，電路的性能將受到嚴(yán)重的影響，如功耗增加、信號(hào)失真、連線間以及層間的串?dāng)_噪音（crosstalk noise）等。因而尋找并采用低阻率金屬以代替金屬鋁便成為集成工藝發(fā)展的必然方向，此舉通過(guò)減小互連線串聯(lián)電阻，可達(dá)到有效減少互連線RC延遲的目的。

Cu是目前采用最廣泛的互連材料，它有Al所不能比擬的優(yōu)良性質(zhì)。在抗電遷移率、熔點(diǎn)、熱功率等方面，Cu比其他金屬有更好的綜合特性。更重要的是Cu的電阻率僅為Al的60%（見(jiàn)表1），這樣能有效地降低時(shí)延。

然而，Cu互連線的引入也帶了許多新的問(wèn)題。

首先，其帶來(lái)了許多新的可靠性問(wèn)題，原因有：（1）新技術(shù)的被迫引用。Cu互連工藝的發(fā)展道路并不平坦，光刻和污染的問(wèn)題使得Cu互連的應(yīng)用進(jìn)展緩慢[5]。為了防止和解決Cu的污染和難以刻蝕的問(wèn)題，Cu互連關(guān)鍵工藝中需要引入阻擋層、化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）平坦化、專門(mén)的通孔技術(shù)與通孔材料，以及殘余雜質(zhì)的清潔等工藝。（2）Al（Cu）有穩(wěn)定的界面，而銅卻沒(méi)有穩(wěn)定的界面[6]。對(duì)Al（Cu）合金而言，顆粒邊界的激活能為0.80～0.96 eV，與界面或內(nèi)部相比是最小的，故Al（Cu）中，顆粒邊界擴(kuò)散占主導(dǎo)地位。同理，Cu中界面擴(kuò)散占主導(dǎo)地位。（3）加工后不同的連線結(jié)構(gòu)。Al連線工藝是平面工藝；而Cu互連工藝則是全新的3D微結(jié)構(gòu)。

此外，Cu互連工藝還引人了新的失效機(jī)理，就是電化學(xué)失效機(jī)理，它可能導(dǎo)致Cu金屬連線間的短路[7]。對(duì)于Cu互連工藝多層互連，信號(hào)的失真、連線間的信號(hào)串?dāng)_等也是尚待解決的問(wèn)題。

對(duì)于Cu互連系統(tǒng)而言，Cu的可靠性只是一個(gè)重要方面，它還包括Low-k介質(zhì)層、Cu與介質(zhì)層的集成等可靠性問(wèn)題。

不過(guò)，雙大馬士革工藝（Dual Dama scene）和CMP技術(shù)的出現(xiàn)使得Cu互連工藝得到了突破性的發(fā)展。

近年來(lái)，Yos Shacham-Diamand等人提出了銀（Ag）互連技術(shù)[8]。在相互傳輸延遲的性能方面，采用Ag比Cu互連導(dǎo)電材料有7%的改進(jìn)。以Ag為導(dǎo)線的器件可承受比Cu為導(dǎo)線器件更密集的電路排列，還可進(jìn)一步減少所需金屬層數(shù)目，以進(jìn)一步減少生產(chǎn)成本。然而，Ag互連無(wú)論是在電遷移、應(yīng)力遷移方面，還是在與其他材料的粘附性、集成兼容性等，都遠(yuǎn)遠(yuǎn)不及Cu互連[9]。因此Ag互連技術(shù)目前不具備大規(guī)模代替Cu互連技術(shù)的條件。

4 結(jié)語(yǔ)

Low-K介質(zhì)與Cu互連技術(shù)的出現(xiàn)推動(dòng)了對(duì)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。本文對(duì)Low-K介質(zhì)與Cu連線的原理與應(yīng)用現(xiàn)狀進(jìn)行了分析，得出今后IC產(chǎn)業(yè)中絕緣介質(zhì)材料與互連引線材料的發(fā)展趨勢(shì)：（1）具有介電常數(shù)低，熱穩(wěn)定性好，耐酸堿，易于圖形化和腐蝕，機(jī)械強(qiáng)度大，可靠性高，擊穿場(chǎng)強(qiáng)高，熱導(dǎo)率高等特性的Low-K介質(zhì)將會(huì)得到更加廣泛的應(yīng)用。（2）基于大馬士革結(jié)構(gòu)的互連技術(shù)及相關(guān)技術(shù)的改進(jìn)與發(fā)展，使得Cu互連技術(shù)取代傳統(tǒng)Al互連技術(shù)成為目前主導(dǎo)的互連技術(shù)。Ag互連技術(shù)由于技術(shù)尚未成熟暫時(shí)不能大規(guī)模取代Cu互連技術(shù)。

參考文獻(xiàn)

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篇4

關(guān)鍵詞:集成電路,銅互連,電鍍,阻擋層

1.雙嵌入式銅互連工藝

隨著芯片集成度的不斷提高,銅已經(jīng)取代鋁成為超大規(guī)模集成電路制造中的主流互連技術(shù)。作為鋁的替代物,銅導(dǎo)線可以降低互連阻抗,降低功耗和成本,提高芯片的集成度、器件密度和時(shí)鐘頻率。

由于對(duì)銅的刻蝕非常困難,因此銅互連采用雙嵌入式工藝,又稱雙大馬士革工藝(DualDamascene),如圖1所示,1)首先沉積一層薄的氮化硅(Si3N4)作為擴(kuò)散阻擋層和刻蝕終止層,2)接著在上面沉積一定厚度的氧化硅(SiO2),3)然后光刻出微通孔(Via),4)對(duì)通孔進(jìn)行部分刻蝕,5)之后再光刻出溝槽(Trench),6)繼續(xù)刻蝕出完整的通孔和溝槽,7)接著是濺射(PVD)擴(kuò)散阻擋層(TaN/Ta)和銅種籽層(SeedLayer)。Ta的作用是增強(qiáng)與Cu的黏附性,種籽層是作為電鍍時(shí)的導(dǎo)電層,8)之后就是銅互連線的電鍍工藝,9)最后是退火和化學(xué)機(jī)械拋光(CMP),對(duì)銅鍍層進(jìn)行平坦化處理和清洗。

圖1銅互連雙嵌入式工藝示意圖

電鍍是完成銅互連線的主要工藝。集成電路銅電鍍工藝通常采用硫酸鹽體系的電鍍液,鍍液由硫酸銅、硫酸和水組成,呈淡藍(lán)色。當(dāng)電源加在銅(陽(yáng)極)和硅片(陰極)之間時(shí),溶液中產(chǎn)生電流并形成電場(chǎng)。陽(yáng)極的銅發(fā)生反應(yīng)轉(zhuǎn)化成銅離子和電子,同時(shí)陰極也發(fā)生反應(yīng),陰極附近的銅離子與電子結(jié)合形成鍍?cè)诠杵砻娴你~,銅離子在外加電場(chǎng)的作用下,由陽(yáng)極向陰極定向移動(dòng)并補(bǔ)充陰極附近的濃度損耗,如圖2所示。電鍍的主要目的是在硅片上沉積一層致密、無(wú)孔洞、無(wú)縫隙和其它缺陷、分布均勻的銅。

圖2集成電路電鍍銅工藝示意圖

2.電鍍銅工藝中有機(jī)添加劑的作用

由于銅電鍍要求在厚度均勻的整個(gè)硅片鍍層以及電流密度不均勻的微小局部區(qū)域(超填充區(qū))能夠同時(shí)傳輸差異很大的電流密度,再加上集成電路特征尺寸不斷縮小,和溝槽深寬比增大,溝槽的填充效果和鍍層質(zhì)量很大程度上取決于電鍍液的化學(xué)性能,有機(jī)添加劑是改善電鍍液性能非常關(guān)鍵的因素,填充性能與添加劑的成份和濃度密切相關(guān),關(guān)于添加劑的研究一直是電鍍銅工藝的重點(diǎn)之一[1,2]。目前集成電路銅電鍍的添加劑供應(yīng)商有Enthone、Rohm&Haas等公司,其中Enthone公司的ViaForm系列添加劑目前應(yīng)用較廣泛。ViaForm系列包括三種有機(jī)添加劑:加速劑(Accelerator)、抑制劑(Suppressor)和平坦劑(Leverler)。當(dāng)晶片被浸入電鍍槽中時(shí),添加劑立刻吸附在銅種籽層表面,如圖3所示。溝槽內(nèi)首先進(jìn)行的是均勻性填充,填充反應(yīng)動(dòng)力學(xué)受抑制劑控制。接著,當(dāng)加速劑達(dá)到臨界濃度時(shí),電鍍開(kāi)始從均勻性填充轉(zhuǎn)變成由底部向上的填充。加速劑吸附在銅表面,降低電鍍反應(yīng)的電化學(xué)反應(yīng)勢(shì),促進(jìn)快速沉積反應(yīng)。當(dāng)溝槽填充過(guò)程完成后,表面吸附的平坦劑開(kāi)始發(fā)揮作用,抑制銅的繼續(xù)沉積,以減小表面的粗糙度。

加速劑通常是含有硫或及其官能團(tuán)的有機(jī)物,例如聚二硫二丙烷磺酸鈉(SPS),或3-巰基丙烷磺酸(MPSA)。加速劑分子量較小,一般吸附在銅表面和溝槽底部,降低電鍍反應(yīng)的電化學(xué)電位和陰極極化,從而使該部位沉積速率加快,實(shí)現(xiàn)溝槽的超填充。

抑制劑包括聚乙二醇(PEG)、聚丙烯二醇和聚乙二醇的共聚物,一般是長(zhǎng)鏈聚合物。抑制劑的平均相對(duì)分子質(zhì)量一般大于1000,有效性與相對(duì)分子質(zhì)量有關(guān),擴(kuò)散系數(shù)低,溶解度較小,抑制劑的含量通常遠(yuǎn)大于加速劑和平坦劑。抑制劑一般大量吸附在溝槽的開(kāi)口處,抑制這部分的銅沉積,防止出現(xiàn)空洞。在和氯離子的共同作用下,抑制劑通過(guò)擴(kuò)散-淀積在陰極表面上形成一層連續(xù)抑制電流的單層膜,通過(guò)阻礙銅離子擴(kuò)散來(lái)抑制銅的繼續(xù)沉積。氯離子的存在,可以增強(qiáng)銅表面抑制劑的吸附作用,這樣抑制劑在界面處的濃度就不依賴于它們的質(zhì)量傳輸速率和向表面擴(kuò)散的速率。氯離子在電鍍液中的含量雖然只有幾十ppm,但對(duì)銅的超填充過(guò)程非常重要。如果氯濃度過(guò)低,會(huì)使抑制劑的作用減弱;若氯濃度過(guò)高,則會(huì)與加速劑在吸附上過(guò)度競(jìng)爭(zhēng)。

平坦劑中一般含有氮原子,通常是含氮的高分子聚合物,粘度較大,因此會(huì)依賴質(zhì)量運(yùn)輸,這樣在深而窄的孔內(nèi)與加速劑、抑制劑的吸附競(jìng)爭(zhēng)中沒(méi)有優(yōu)勢(shì),但在平坦和突出的表面,質(zhì)量傳輸更有效。溝槽填充完成后,加速劑并不停止工作,繼續(xù)促進(jìn)銅的沉積,但吸附了平坦劑的地方電流會(huì)受到明顯抑制,可以抑制銅過(guò)度的沉積。平坦劑通過(guò)在較密的細(xì)線條上方抑制銅的過(guò)度沉積從而獲得較好的平坦化效果,保證了較小尺寸的圖形不會(huì)被提前填滿,有效地降低了鍍層表面起伏。

在銅電鍍過(guò)程中,對(duì)填充過(guò)程產(chǎn)生影響的主要是加速劑、抑制劑和氯離子,填充過(guò)程完成后對(duì)鍍層表面粗糙度產(chǎn)生影響的主要是平坦劑。銅電鍍是有機(jī)添加劑共同作用的結(jié)果,它們之間彼此競(jìng)爭(zhēng)又相互關(guān)聯(lián)。為實(shí)現(xiàn)無(wú)空洞和無(wú)缺陷電鍍,除了改進(jìn)添加劑的單個(gè)性能外,還需要確定幾種添加劑同時(shí)存在時(shí)各添加劑濃度的恰當(dāng)值,使三者之間互相平衡,才能達(dá)到良好的綜合性能,得到低電阻率、結(jié)構(gòu)致密和表面粗糙度小的銅鍍層。

盡管使用有機(jī)添加劑可實(shí)現(xiàn)深亞微米尺寸的銅電鍍,但往往會(huì)有微量的添加劑被包埋在銅鍍層中。對(duì)于鍍層來(lái)說(shuō),這些雜質(zhì)可能會(huì)提高電阻系數(shù),并且使銅在退火時(shí)不太容易形成大金屬顆粒。

圖3電鍍銅表面添加劑作用示意圖

A=AcceleratorS=Suppressor

L=LevelerCl=ChlorideIon

電鍍過(guò)程中添加劑不斷地被消耗,為了保證鍍層的品質(zhì),需要隨時(shí)監(jiān)控添加劑的濃度。目前主要使用閉環(huán)的循環(huán)伏安剝離法(CylicVoltammetricStripping,CVS)來(lái)監(jiān)測(cè)電鍍液的有機(jī)添加劑含量。CVS測(cè)量?jī)x器的主要供應(yīng)商是美國(guó)ECI公司。CVS盡管硬件成本低,但它很難反映出幾種添加劑組分濃度同時(shí)改變的準(zhǔn)確情況,高效液相色譜(HighPerformanceLiquidChromatography,HPLC)分析技術(shù)有望能替代CVS。

3.脈沖電鍍和化學(xué)鍍

在銅互連中的應(yīng)用

在目前的集成電路制造中,芯片的布線和互連幾乎全部是采用直流電鍍的方法獲得銅鍍層。但直流電鍍只有電流/電壓一個(gè)可變參數(shù),而脈沖電鍍則有電流/電壓、脈寬、脈間三個(gè)主要可變參數(shù),而且還可以改變脈沖信號(hào)的波形。相比之下,脈沖電鍍對(duì)電鍍過(guò)程有更強(qiáng)的控制能力。最近幾年,關(guān)于脈沖電鍍?cè)诩呻娐枫~互連線中的應(yīng)用研究越來(lái)越受到重視[3,4]。

脈沖電鍍銅所依據(jù)的電化學(xué)原理是利用脈沖張馳增加陰極的活化極化,降低陰極的濃差極化,從而改善鍍層的物理化學(xué)性能。在直流電鍍中,由于金屬離子趨近陰極不斷被沉積,因而不可避免地造成濃差極化。而脈沖電鍍?cè)陔娏鲗?dǎo)通時(shí),接近陰極的金屬離子被充分地沉積;當(dāng)電流關(guān)斷時(shí),陰極周圍的放電離子又重新恢復(fù)到初始濃度。這樣陰極表面擴(kuò)散層內(nèi)的金屬離子濃度就得到了及時(shí)補(bǔ)充,擴(kuò)散層周期間隙式形成,從而減薄了擴(kuò)散層的實(shí)際厚度。而且關(guān)斷時(shí)間的存在不僅對(duì)陰極附近濃度恢復(fù)有好處,還會(huì)產(chǎn)生一些對(duì)沉積層有利的重結(jié)晶、吸脫附等現(xiàn)象。脈沖電鍍的主要優(yōu)點(diǎn)有:降低濃差極化,提高了陰極電流密度和電鍍效率,減少氫脆和鍍層孔隙;提高鍍層純度,改善鍍層物理性能,獲得致密的低電阻率金屬沉積層。

除了電鍍以外,還有一種無(wú)需外加電源的沉積方式,這就是化學(xué)鍍?；瘜W(xué)鍍不同于電鍍,它是利用氧化還原反應(yīng)使金屬離子被還原沉積在基板表面,其主要特點(diǎn)是不需要種籽層,能夠在非導(dǎo)體表面沉積,具有設(shè)備簡(jiǎn)單、成本較低等優(yōu)點(diǎn)。化學(xué)鍍目前在集成電路銅互連技術(shù)中的應(yīng)用主要有:沉積CoWP等擴(kuò)散阻擋層和沉積銅種籽層。最近幾年關(guān)于化學(xué)鍍銅用于集成電路銅互連線以及溝槽填充的研究亦成為一大熱點(diǎn),有研究報(bào)道通過(guò)化學(xué)鍍同樣可以得到性能優(yōu)良的銅鍍層[5,6]。但是化學(xué)鍍銅通常采用甲醛做為還原劑,存在環(huán)境污染的問(wèn)題。

4.銅互連工藝發(fā)展趨勢(shì)

使用原子層沉積(ALD,AtomicLayerDeposition)技術(shù)沉積阻擋層和銅的無(wú)種籽層電鍍是目前銅互連技術(shù)的研究熱點(diǎn)[7]。

在當(dāng)前的銅互連工藝中,擴(kuò)散阻擋層和銅種籽層都是通過(guò)PVD工藝制作。但是當(dāng)芯片的特征尺寸變?yōu)?5nm或者更小時(shí),擴(kuò)散阻擋層和銅種籽層的等比例縮小將面臨嚴(yán)重困難。首先,種子層必須足夠薄,這樣才可以避免在高縱寬比結(jié)構(gòu)上沉積銅時(shí)出現(xiàn)頂部外懸結(jié)構(gòu),防止產(chǎn)生空洞;但是它又不能太薄。其次,擴(kuò)散層如果減薄到一定厚度,將失去對(duì)銅擴(kuò)散的有效阻擋能力。還有,相對(duì)于銅導(dǎo)線,阻擋層橫截面積占整個(gè)導(dǎo)線橫截面積的比例變得越來(lái)越大。但實(shí)際上只有銅才是真正的導(dǎo)體。例如,在65nm工藝時(shí),銅導(dǎo)線的寬度和高度分別為90nm和150nm,兩側(cè)則分別為10nm。這意味著橫截面為13,500nm2的導(dǎo)線中實(shí)際上只有8,400nm2用于導(dǎo)電,效率僅為62.2%[7]。

目前最有可能解決以上問(wèn)題的方法是ALD和無(wú)種籽電鍍。使用ALD技術(shù)能夠在高深寬比結(jié)構(gòu)薄膜沉積時(shí)具有100%臺(tái)階覆蓋率,對(duì)沉積薄膜成份和厚度具有出色的控制能力,能獲得純度很高質(zhì)量很好的薄膜。而且,有研究表明:與PVD阻擋層相比,ALD阻擋層可以降低導(dǎo)線電阻[7]。因此ALD技術(shù)很有望會(huì)取代PVD技術(shù)用于沉積阻擋層。不過(guò)ALD目前的缺點(diǎn)是硬件成本高,沉積速度慢,生產(chǎn)效率低。

此外,過(guò)渡金屬-釕可以實(shí)現(xiàn)銅的無(wú)種籽電鍍,在釕上電鍍銅和普通的銅電鍍工藝兼容。釕的電阻率(~7μΩ-cm),熔點(diǎn)(~2300℃),即使900℃下也不與銅發(fā)生互熔。釕是貴金屬,不容易被氧化,但即使被氧化了,生成的氧化釕也是導(dǎo)體。由于釕對(duì)銅有一定的阻擋作用,在一定程度上起到阻擋層的作用,因此釕不僅有可能取代擴(kuò)散阻擋層常用的Ta/TaN兩步工藝,而且還可能同時(shí)取代電鍍種籽層,至少也可以達(dá)到減薄阻擋層厚度的目的。況且,使用ALD技術(shù)沉積的釕薄膜具有更高的質(zhì)量和更低的電阻率。但無(wú)種籽層電鍍同時(shí)也為銅電鍍工藝帶來(lái)新的挑戰(zhàn),釕和銅在結(jié)構(gòu)上的差異,使得釕上電鍍銅與銅電鍍并不等同,在界面生長(zhǎng),沉積模式上還有許多待研究的問(wèn)題。

5.結(jié)語(yǔ)

銅互連是目前超大規(guī)模集成電路中的主流互連技術(shù),而電鍍銅是銅互連中的關(guān)鍵工藝之一。有機(jī)添加劑是銅電鍍工藝中的關(guān)鍵因素,各種有機(jī)添加劑相互協(xié)同作用但又彼此競(jìng)爭(zhēng),恰當(dāng)?shù)奶砑觿舛饶鼙ＷC良好的電鍍性能。在45nm或更小特征尺寸技術(shù)代下,為得到低電阻率、無(wú)孔洞和缺陷的致密銅鍍層,ALD和無(wú)種籽電鍍被認(rèn)為是目前最有可能的解決辦法。此外,研究開(kāi)發(fā)性能更高的有機(jī)添加劑也是途徑之一,而使用新的電鍍方式(比如脈沖電鍍)也可能提高銅鍍層的質(zhì)量。

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大唐金融社保卡芯片

獲優(yōu)秀銀行卡設(shè)備獎(jiǎng)

在前不久召開(kāi)的“2011中國(guó)國(guó)際金融（銀行）技術(shù)暨設(shè)備展覽會(huì)（以下簡(jiǎn)稱金融展）”上，大唐電信向業(yè)界集中展示了金融IC卡芯片解決方案、現(xiàn)場(chǎng)及遠(yuǎn)程支付解決方案、社保卡芯片（含金融功能）解決方案、手機(jī)支付解決方案等整體解決方案。在此次金融展上，大唐電信推出的金融社?？ㄐ酒瑯s獲2011年金融展“優(yōu)秀銀行卡設(shè)備獎(jiǎng)”。

金融社?？ㄐ酒谴筇齐娦抛灾餮邪l(fā)設(shè)計(jì)的一款國(guó)產(chǎn)芯片，符合《社會(huì)保障（個(gè)人）卡規(guī)范》、《中國(guó)金融集成電路（IC）卡應(yīng)用規(guī)范》（PBOC2.0規(guī)范）。該產(chǎn)品能夠很好地實(shí)現(xiàn)電子憑證、信息存儲(chǔ)、信息查詢、電子錢(qián)包、借貸記、電子現(xiàn)金小額支付等功能。芯片設(shè)計(jì)兼顧速度、安全、面積、功耗等因素，是一款高速率、高安全性、低功耗的智能卡芯片。目前，大唐電信金融社?？ㄐ酒a(chǎn)品已經(jīng)在福建、北京等地商用。

據(jù)了解，大唐電信“十二五”期間確立了向整體解決方案轉(zhuǎn)型的發(fā)展戰(zhàn)略，全面實(shí)施“大終端+大服務(wù)”的產(chǎn)業(yè)布局。以大唐微電子的產(chǎn)業(yè)平臺(tái)及原專用集成電路事業(yè)部、國(guó)際業(yè)務(wù)部為基礎(chǔ)組建了大唐電信金融與安全事業(yè)部，事業(yè)部將以安全芯片為核心，立足通信政企等行業(yè)領(lǐng)域，面向金融社保等行業(yè)領(lǐng)域，提供智能卡綜合性解決方案。（來(lái)自大唐電信）

華虹NEC的Super Junction

工藝開(kāi)發(fā)項(xiàng)目取得顯著成果

上海華虹NEC電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱“華虹NEC”）近日宣布，憑借在MOSFET方面雄厚的技術(shù)實(shí)力和生產(chǎn)工藝，成功開(kāi)發(fā)了新一代創(chuàng)新型MOSFET代工方案――600-700VSuperJunction（超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)）MOSFET（SJNFET）工藝，并開(kāi)始進(jìn)入量產(chǎn)階段。此SJNFET工藝平臺(tái)的成功推出，標(biāo)志著華虹NEC在功率分立器件領(lǐng)域取得了突破性進(jìn)展，將為客戶提供更豐富的工藝平臺(tái)與代工服務(wù)。（來(lái)自華虹NEC）

燦芯半導(dǎo)體與浙江大學(xué)建立

“工程碩士”培養(yǎng)合作

為培養(yǎng)應(yīng)用型、復(fù)合型的高層次集成電路企業(yè)工程技術(shù)人才，推動(dòng)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，燦芯半導(dǎo)體（上海）有限公司（以下簡(jiǎn)稱“燦芯半導(dǎo)體”）與浙江大學(xué)簽署了委托浙江大學(xué)信息與電子工程學(xué)系為燦芯半導(dǎo)體開(kāi)展集成電路工程碩士培養(yǎng)的協(xié)議，并于10月15日在浙江大學(xué)舉行了開(kāi)學(xué)典禮。

探索集成電路人才培育模式，完善集成電路企業(yè)的人力資源積累和激勵(lì)機(jī)制,既孵化企業(yè)，也孵化人才，使優(yōu)秀人才引得進(jìn)、留得住、用得好，是燦芯半導(dǎo)體企業(yè)文化的主要內(nèi)容之一，而建設(shè)呈梯次展開(kāi)的人才培育平臺(tái)是燦芯半導(dǎo)體企業(yè)文化的重要組成部分。為地方企業(yè)培養(yǎng)集成電路人才、提高在職集成電路人員的技術(shù)水平和技術(shù)素養(yǎng)也是浙江大學(xué)人才培養(yǎng)的重要任務(wù)。

該合作的建立，不僅為燦芯半導(dǎo)體的在職工程師提供了一個(gè)極好的深造機(jī)會(huì)，同時(shí)也體現(xiàn)了燦芯半導(dǎo)體對(duì)人才的重視和在公司人才培養(yǎng)上的深謀遠(yuǎn)慮?。▉?lái)自燦芯半導(dǎo)體）

宏力半導(dǎo)體與力旺電子合作開(kāi)發(fā)

多元解決方案與先進(jìn)工藝

晶圓制造服務(wù)公司宏力半導(dǎo)體與嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器（embedded non-volatile memory, eNVM）領(lǐng)導(dǎo)廠商力旺電子共同宣布，雙方通過(guò)共享資源設(shè)計(jì)平臺(tái)，進(jìn)一步擴(kuò)大合作范圍，開(kāi)發(fā)多元嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器解決方案。力旺電子獨(dú)特開(kāi)發(fā)的單次可編程O(píng)TP （NeoBit），與多次可編程MTP （NeoFlash/NeoEE） 等eNVM技術(shù)，將全面導(dǎo)入宏力半導(dǎo)體的工藝平臺(tái)，宏力半導(dǎo)體并將投入OTP與MTP知識(shí)產(chǎn)權(quán)（Intellectual Patent, IP）的設(shè)計(jì)服務(wù)，以提供客戶全方位的嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器解決方案，將可藉由低成本、高效能的優(yōu)勢(shì)，服務(wù)微控制器（MCU）與消費(fèi)性電子客戶，共同開(kāi)發(fā)全球市場(chǎng)。 （來(lái)自力旺公司）

“大唐-安捷倫TD-LTE-Advanced

聯(lián)合研究實(shí)驗(yàn)室”成立

大唐電信集團(tuán)與安捷倫科技有限公司日前聯(lián)合宣布：雙方在北京成立“大唐-安捷倫TD-LTE- Advanced聯(lián)合研究實(shí)驗(yàn)室”，攜手為中國(guó)新一代移動(dòng)通信技術(shù)的自主創(chuàng)新發(fā)展貢獻(xiàn)力量。TD-LTE-Advanced是現(xiàn)今TD-LTE （4G） 標(biāo)準(zhǔn)的后續(xù)演進(jìn)系統(tǒng)。此次成立的聯(lián)合研究實(shí)驗(yàn)室將致力于開(kāi)發(fā)相關(guān)的新技術(shù)和測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，推動(dòng)TD-LTE-Advanced在中國(guó)以及國(guó)際市場(chǎng)的快速發(fā)展和商業(yè)部署。

作為3G時(shí)代TD-SCDMA國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的提出者，以及4G時(shí)代TD-LTE- Advanced技術(shù)的主導(dǎo)者，大唐電信集團(tuán)彰顯出其在國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化工作中的領(lǐng)軍者地位?！按筇?安捷倫TD-LTE-Advanced聯(lián)合研究實(shí)驗(yàn)室”的建立，將有利于雙方在TD-SCDMA、TD-LTE、TD-LTE-Advanced解決方案的研發(fā)過(guò)程中發(fā)揮各自優(yōu)勢(shì)，支持大唐電信集團(tuán)在技術(shù)、系統(tǒng)設(shè)備和芯片組等產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)的研發(fā)，同時(shí)為安捷倫針對(duì)中國(guó)自主通信標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)發(fā)測(cè)試技術(shù)和儀器儀表提供發(fā)展機(jī)會(huì)。（來(lái)自安捷倫科技）

睿勵(lì)TFX3000 300mm

全自動(dòng)精密薄膜線寬測(cè)量系統(tǒng)

睿勵(lì)科學(xué)儀器（上海）有限公司宣布推出自主研發(fā)的適用于65nm和45 nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的300mm硅片全自動(dòng)精密薄膜和線寬測(cè)量系統(tǒng)（TFX3000）。針對(duì)65nm及45nm生產(chǎn)線的要求，本產(chǎn)品的測(cè)量系統(tǒng)采用了先進(jìn)的非接觸式光學(xué)技術(shù)，并進(jìn)行了全面的優(yōu)化，能準(zhǔn)確地確定集成電路生產(chǎn)中有關(guān)工藝參數(shù)的微小變化。配上亞微米級(jí)高速定位系統(tǒng)和先進(jìn)的計(jì)算機(jī)圖形識(shí)別技術(shù)，極大地提高了測(cè)量的速度。該產(chǎn)品可以和睿勵(lì)自主開(kāi)發(fā)的OCD軟件配套使用，能準(zhǔn)確地測(cè)量關(guān)鍵尺寸及形貌。專為CD測(cè)量配套的光學(xué)測(cè)量系統(tǒng)能將光學(xué)散射法的優(yōu)勢(shì)最充分地發(fā)揮出來(lái)。該產(chǎn)品最適用于刻蝕（Etch）、化學(xué)氣相沉積（CVD）、光刻（Photolithography）和化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）等工藝段。（來(lái)自睿勵(lì)科學(xué)儀器）

聯(lián)想IdeaPad TabletK1觸摸屏采用

愛(ài)特梅爾maXTouch mXT1386控制器

愛(ài)特梅爾公司（Atmel? Corporation）宣布聯(lián)想已選擇maXTouch?mXT1386控制器助力聯(lián)想IdeaPad TabletK1平板電腦。新型聯(lián)想IdeaPad TabletK1平板電腦運(yùn)行Android 3.1版本操作系統(tǒng)，搭載雙核1GHz NVIDIA Tegra 2處理器和1GB內(nèi)存，并配置帶有黑色邊框的10.1英寸1280x800分辨率顯示屏。愛(ài)特梅爾maXTouch mXT1386這款突破性全新觸摸屏控制器具有出色的電池壽命和更快的響應(yīng)速度，因而獲聯(lián)想選擇使用。（來(lái)自愛(ài)特梅爾）

埃派克森推出滑鼠8-PIN芯片

埃派克森微電子（上海）有限公司（Apexone Microelectronics）日前宣布推出業(yè)界唯一的8-PIN最小封裝、支持DPI調(diào)節(jié)的3D4K單芯片光電鼠標(biāo)芯片A2638，以及“翼”系列2.4 G 無(wú)線鼠標(biāo)方案的第二代產(chǎn)品ASM667高性能模組。

此次新推出的A2638光電鼠標(biāo)系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）是埃派克森全新“致?簡(jiǎn)”系列的首款產(chǎn)品，該系列SoC依據(jù)“突破極致、大道至簡(jiǎn)”設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用思路，從業(yè)內(nèi)最先進(jìn)的8管腳鼠標(biāo)SoC外形封裝出發(fā)，利用埃派克森完全自主的專利技術(shù)，將更多的系統(tǒng)特性和外部元器件集成其中，突破了多項(xiàng)技術(shù)極限從而帶來(lái)整體設(shè)計(jì)的高度簡(jiǎn)化和高性價(jià)比。作為“致?簡(jiǎn)”系列的首款產(chǎn)品，A2638不僅將8管腳光電鼠標(biāo)傳感器的整體封裝體積壓縮至業(yè)內(nèi)最小，而且是業(yè)內(nèi)唯一支持4Key按鍵DPI可調(diào)的光電鼠標(biāo)單芯片。

A2638可應(yīng)用于各種光電鼠標(biāo)、臺(tái)式電腦、筆記本電腦和導(dǎo)航設(shè)備等等終端系統(tǒng)。（來(lái)自埃派克森）

靈芯集成WiFi芯片

獲得WiFi聯(lián)盟產(chǎn)品認(rèn)證

蘇州中科半導(dǎo)體集成技術(shù)研發(fā)中心有限公司（又名靈芯集成，以下簡(jiǎn)稱靈心集成）宣布其研發(fā)的Wi-Fi芯片（包括射頻芯片S103和基帶芯片S901）以及模組SWM9001已獲得Wi-Fi聯(lián)盟的產(chǎn)品認(rèn)證，成為中國(guó)第一家獲得Wi-FiLogo的IC設(shè)計(jì)公司。這標(biāo)志著中國(guó)本土IC設(shè)計(jì)公司在Wi-Fi芯片技術(shù)領(lǐng)域的一次重大突破，并使Wi-Fi芯片采購(gòu)商找到更高性價(jià)比產(chǎn)品解決方案成為可能。

Wi-Fi技術(shù)在移動(dòng)寬帶領(lǐng)域應(yīng)用十分廣泛，市場(chǎng)需求量巨大，除智能手機(jī)、平板電腦等成熟市場(chǎng)外，還有智能家庭、云手機(jī)、云電視以及物聯(lián)網(wǎng)等新興市場(chǎng)。Wi-Fi芯片主要需要實(shí)現(xiàn)高線性度、高靈敏度、低功耗以及高抗噪與防反串四大特性，軟件開(kāi)發(fā)工作同樣復(fù)雜，所以研發(fā)難度大。

靈芯集成的Wi-Fi芯片產(chǎn)品及模組擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，并符合802.11abgn等主流標(biāo)準(zhǔn)，同時(shí)以硬件實(shí)現(xiàn)方式支持中國(guó)WAPI加密標(biāo)準(zhǔn)。經(jīng)過(guò)數(shù)年的技術(shù)攻關(guān)，靈芯集成將Wi-Fi芯片成功推向市場(chǎng)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，同時(shí)取得相關(guān)國(guó)際認(rèn)證，走過(guò)的路異常艱辛。目前，靈芯可提供套片、模組及IP授權(quán)等多種合作模式。此外，靈芯集成還可提供GPS基帶和射頻芯片、CMMBDVB-SIIABS調(diào)諧器射頻芯片、2.4GHz射頻收發(fā)芯片以及ETC解決方案等。（來(lái)自CSIA）

士蘭微收到1199萬(wàn)國(guó)家專項(xiàng)經(jīng)費(fèi)

杭州士蘭微電子股份有限公司（簡(jiǎn)稱士蘭微）于近日收到“高速低功耗600v以上多芯片高壓模塊”項(xiàng)目的第一筆項(xiàng)目經(jīng)費(fèi)1199萬(wàn)元。

據(jù)悉，士蘭微申報(bào)的“高速低功耗600v以上多芯片高壓模塊”項(xiàng)目，是國(guó)家科技重大專項(xiàng)“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”專項(xiàng)項(xiàng)目之一，由士蘭微及其控股子公司杭州士蘭集成電路有限公司共同承擔(dān)。該項(xiàng)目獲得的中央財(cái)政核定預(yù)算資金總額為3421.00萬(wàn)元。（來(lái)自CSIA）

國(guó)際要聞

IR 擴(kuò)充SupIRBuck在線設(shè)計(jì)工具

國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 日前宣布已為 SupIRBuck 集成式負(fù)載點(diǎn) （POL） 穩(wěn)壓器系列擴(kuò)充在線設(shè)計(jì)工具，其中包括使用可提升輕載效率的滯后恒定導(dǎo)通時(shí)間 （COT） 控制的全新器件。

IR已在網(wǎng)站上提供這款方便易用的互動(dòng)網(wǎng)絡(luò)工具，使設(shè)計(jì)人員可為超過(guò)15個(gè)SupIRBuck 集成式穩(wěn)壓器進(jìn)行快速選型、電熱模擬和優(yōu)化設(shè)計(jì)。擴(kuò)充的產(chǎn)品線包含高壓 （27 V） 器件、最高15A 的額定電流，以及采用5mm×6mm 和4mm×5mm 封裝的穩(wěn)壓器。強(qiáng)化的模擬功能包括使用鋁制電解電容器補(bǔ)償恒定導(dǎo)通時(shí)間控制器以實(shí)現(xiàn)較低成本應(yīng)用，以及使用全陶制電容器實(shí)現(xiàn)較高頻率應(yīng)用。

SupIRBuck 在線工具根據(jù)設(shè)計(jì)人員所提供的輸入和輸出參數(shù)，為特定應(yīng)用選擇合適的器件。用戶只要輸入基本要求，該工具便允許用戶獲取電路圖、建立附帶相關(guān)物料清單 （BOM） 的參考設(shè)計(jì)、觀察波形，并方便快速地完成復(fù)雜的熱阻和應(yīng)用分析，從而大幅加快開(kāi)發(fā)進(jìn)程。

IR 的 SupIRBuck 穩(wěn)壓器把 IR的高性能同步降壓控制 IC 和基準(zhǔn) HEXFET?溝道技術(shù) MOSFET 集成到一個(gè)緊湊的功率 QFN 封裝中，比分立式解決方案所要求的硅占位面積更小，并提供比單片式IC高出8%至10%的全負(fù)載效率。（來(lái)自IR）

意法半導(dǎo)體率先采用硅通孔技術(shù)，

實(shí)現(xiàn)尺寸更小且更智能的MEMS芯片

意法半導(dǎo)體公司（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST）日前宣布率先將硅通孔技術(shù)（TSV）引入MEMS芯片量產(chǎn)。在意法半導(dǎo)體的多種MEMS產(chǎn)品（如智能傳感器、多軸慣性模塊）內(nèi)，硅通孔技術(shù)以垂直短線方式取代傳統(tǒng)的芯片互連線方法，在尺寸更小的產(chǎn)品內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的集成度和性能。

硅通孔技術(shù)利用短垂直結(jié)構(gòu)連接同一個(gè)封裝內(nèi)堆疊放置的多顆芯片，相較于傳統(tǒng)的打線綁定或倒裝芯片堆疊技術(shù)，硅通孔技術(shù)具有更高的空間使用效率和互連線密度。意法半導(dǎo)體已取得硅通孔技術(shù)專利權(quán)，并將其用于大規(guī)模量產(chǎn)制造產(chǎn)品，此項(xiàng)技術(shù)有助于縮減MEMS芯片尺寸，同時(shí)可提高產(chǎn)品的穩(wěn)定性和性能。（來(lái)自ST）

富士通半導(dǎo)體擴(kuò)充FM3系列

32位微控制器產(chǎn)品陣營(yíng)

富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司最近宣布推出基于ARM? CortexTM-M3處理器內(nèi)核的32位RISC微控制器的FM3系列的新產(chǎn)品。該系列于去年11月首次面世，本次推出的是第3波產(chǎn)品。此次，富士通半導(dǎo)體共推出64款新產(chǎn)品，不久即可提供樣片。

新產(chǎn)品分為高性能產(chǎn)品組和超低漏電產(chǎn)品組兩個(gè)類別，高性能產(chǎn)品組共有54款產(chǎn)品，包括MB9B610/510/410/310/210/110系列、MB9BF618- TPMC以及其他產(chǎn)品；超低漏電產(chǎn)品組共有10款產(chǎn)品，包括MB9A130系列、MB9AF132LPMC以及其他產(chǎn)品。（來(lái)自富士通半導(dǎo)體）

安森美半導(dǎo)體推出

最小有源時(shí)鐘產(chǎn)生器IC

安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）推出新系列的有源時(shí)鐘產(chǎn)生器集成電路（IC），管理時(shí)鐘源的電磁干擾（EMI）及射頻干擾（RFI），為所有依賴于時(shí)鐘的信號(hào)提供降低全系統(tǒng)級(jí)的EMI。

新的P3MS650100H及P3MS650103H 低壓互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（LVCMOS）降低峰值EMI時(shí)鐘產(chǎn)生器非常適合用于空間受限的應(yīng)用，如便攜電池供電設(shè)備，包括手機(jī)及平板電腦。這些便攜設(shè)備的EMI/RFI可能是一項(xiàng)重要挑戰(zhàn)，而符合相關(guān)規(guī)范是先決條件。這些通用新器件采用小型4引腳WDFN封裝，尺寸僅為1 mm x 1.2 mm x 0.8 mm。這些擴(kuò)頻型時(shí)鐘產(chǎn)生器提供業(yè)界最小的獨(dú)立式有源方案，以在時(shí)鐘源和源自時(shí)鐘源的下行時(shí)鐘及數(shù)據(jù)信號(hào)處降低EMI/RFI。（來(lái)自安森美半導(dǎo)體）

恩智浦推出業(yè)界首款集成了LCD段

碼驅(qū)動(dòng)器的Cortex-M0微控制器

恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.）日前推出LPC11D00 和LPC12D00系列微控制器，這是業(yè)界首款集成了LCD段碼驅(qū)動(dòng)器的ARM? CortexTM-M0 微控制器，可在單一芯片中實(shí)現(xiàn)高對(duì)比度和亮度。LPC11D00和LPC12D00內(nèi)置了恩智浦PCF8576D LCD驅(qū)動(dòng)器，適用于內(nèi)含多達(dá)4個(gè)底板和40段碼的靜態(tài)或多路復(fù)用液晶顯示器，并能與多段LCD驅(qū)動(dòng)器輕松實(shí)現(xiàn)級(jí)聯(lián)，容納最多2560段碼，適合更大的顯示器應(yīng)用。恩智浦LPC11D00和LPC12D00系列可將總體系統(tǒng)成本降低15%，同時(shí)提供LCD無(wú)縫集成，適合工業(yè)自動(dòng)化、白色家電、照明設(shè)備、家用電器和便攜式醫(yī)療器械等多種應(yīng)用。（來(lái)自恩智浦）

奧地利微電子推出

業(yè)界最高亮度的閃光LED驅(qū)動(dòng)芯片

奧地利微電子公司日前宣布推出應(yīng)用于手機(jī)、照相機(jī)和其他手持設(shè)備的AS364X系列LED閃光驅(qū)動(dòng)芯片。產(chǎn)品具有高集成度及4MHz的DC-DC升壓轉(zhuǎn)換器，能保證最高的精度，從而確保最佳的照片和視頻圖像質(zhì)量。新的產(chǎn)品系列支持320mA至最高2A的輸出電流，為入門(mén)級(jí)手機(jī)、高端智能手機(jī)、平板電腦、數(shù)碼相機(jī)和錄像機(jī)提供最佳解決方案。

除了具有業(yè)界最小尺寸的特性，新的產(chǎn)品系列提供高度精確的I2C可編程輸出電流和時(shí)間控制，擁有諸多安全特性，另外還結(jié)合智能內(nèi)置功能與獨(dú)有的處理技術(shù)，使閃光燈即使在非常低的電量下依然保持工作，改善移動(dòng)環(huán)境中圖像的畫(huà)面質(zhì)量。（來(lái)自?shī)W地利微電子）

微捷碼FineSim SPICE幫助

Diodes Incorporated加速完成兩款

高度集成化同步開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的投片

微捷碼（Magma?）設(shè)計(jì)自動(dòng)化有限公司日前宣布，全球領(lǐng)先的分立、邏輯和模擬半導(dǎo)體市場(chǎng)高品質(zhì)專用標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品（ASSP）制造商和供應(yīng)商Diodes Incorporated公司采用FineSimTM SPICE多CPU電路仿真技術(shù)完成了兩款高度集成化同步開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的投片。AP6502和AP6503作為340 kHz開(kāi)關(guān)頻率外補(bǔ)償式同步DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器，是專為數(shù)字電視、液晶監(jiān)控器和機(jī)頂盒等有超高效電壓變換需求的消費(fèi)類電子系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。通過(guò)利用FineSim SPICE多CPU仿真技術(shù)，Diodes Incorporated明顯縮短了仿真時(shí)間，在不影響精度的前提下實(shí)現(xiàn)了3至4倍的仿真范圍擴(kuò)展。（來(lái)自Magma）

德州儀器進(jìn)一步壯大面向負(fù)載點(diǎn)

設(shè)計(jì)的 PMBusTM 電源解決方案陣營(yíng)

日前，德州儀器 （TI） 宣布面向非隔離式負(fù)載點(diǎn)設(shè)計(jì)推出 2兩款具有 PMBus 數(shù)字接口與自適應(yīng)電壓縮放功能的 20 V 降壓穩(wěn)壓器。加上 NS系統(tǒng)電源保護(hù)及管理產(chǎn)品，TI 為設(shè)計(jì)工程師提供完整的單、雙及多軌多相位 PMBus 解決方案，幫助電信與服務(wù)器設(shè)計(jì)人員對(duì)其電源系統(tǒng)健康狀況進(jìn)行智能監(jiān)控、保護(hù)和管理。（來(lái)自德州儀器）

Altera業(yè)界第一款

SoC FPGA軟件開(kāi)發(fā)虛擬目標(biāo)平臺(tái)

Altera公司宣布可以提供FPGA業(yè)界的第一個(gè)虛擬目標(biāo)平臺(tái)，支持面向Altera最新的SoC FPGA器件進(jìn)行器件專用嵌入式軟件的開(kāi)發(fā)。在Synopsys有限公司成熟的虛擬原型開(kāi)發(fā)解決方案基礎(chǔ)上，SoC FPGA虛擬目標(biāo)是基于PC在Altera SoC FPGA開(kāi)發(fā)電路板上的功能仿真。虛擬目標(biāo)與SoC FPGA電路板二進(jìn)制和寄存器兼容，保證了開(kāi)發(fā)人員以最小的工作量將在虛擬目標(biāo)上開(kāi)發(fā)的軟件移植到實(shí)際電路板上。支持Linux和VxWorks，并在主要ARM輔助系統(tǒng)開(kāi)發(fā)工具的幫助下，嵌入式軟件工程師利用虛擬目標(biāo)，使用熟悉的工具來(lái)開(kāi)發(fā)應(yīng)用軟件，最大限度的重新使用已有代碼，利用前所未有的目標(biāo)控制和目標(biāo)可視化功能，進(jìn)一步提高效能，這對(duì)于復(fù)雜多核處理器系統(tǒng)開(kāi)發(fā)非常重要。（來(lái)自Altera）

瑞薩電子宣布開(kāi)發(fā)新型近場(chǎng)無(wú)線技術(shù)

瑞薩電子株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱“瑞薩電子”）于近日宣布開(kāi)發(fā)新型超低功耗近場(chǎng)距離（低于1米的范圍內(nèi)）無(wú)線技術(shù)，通過(guò)此技術(shù)實(shí)現(xiàn)極小終端設(shè)備（傳感器節(jié)點(diǎn)）即可將各種傳感器信息發(fā)送給采樣通用無(wú)線通信標(biāo)準(zhǔn)（如藍(lán)牙和無(wú)線LAN）的移動(dòng)器件。

瑞薩電子認(rèn)為，這項(xiàng)新技術(shù)會(huì)成為未來(lái)幾年“物聯(lián)網(wǎng)”產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)，以及實(shí)現(xiàn)更高效的、有助于構(gòu)建生態(tài)友好的綠色“智能城市”的“器件控制”的基礎(chǔ)。瑞薩計(jì)劃加速推進(jìn)其研發(fā)工作。

瑞薩電子于近日在日本京都召開(kāi)的“2011年VLSI電路研討會(huì)”上公布開(kāi)發(fā)成果。（來(lái)自CSIA）

德州儀器推出更強(qiáng)大的

多核 DSP-TMS320C66x

日前，德州儀器 （TI）宣布推出面向開(kāi)發(fā)人員的業(yè)界最高性能的高靈活型可擴(kuò)展多核解決方案，其建立在TMS320C66x 數(shù)字信號(hào)處理器（DSP）產(chǎn)品系列基礎(chǔ)之上，是工業(yè)自動(dòng)化市場(chǎng)處理密集型應(yīng)用的理想選擇。設(shè)計(jì)智能攝像機(jī)、視覺(jué)控制器以及光學(xué)檢測(cè)系統(tǒng)等產(chǎn)品的客戶將充分受益于TI C66x 多核DSP 所提供的超高性能、整合型定點(diǎn)與浮點(diǎn)高性能以及單位內(nèi)核更多外設(shè)與存儲(chǔ)器數(shù)量。此外，TI 還提供強(qiáng)大的多核軟件、工具與支持，可簡(jiǎn)化開(kāi)發(fā)，幫助客戶進(jìn)一步發(fā)揮C66x 多核DSP 的全面性能優(yōu)勢(shì)。（來(lái)自德州儀器）

意法半導(dǎo)體（ST）向歌華有線

提供集成機(jī)頂盒芯片

意法半導(dǎo)體日前宣布北京歌華有線電視網(wǎng)絡(luò)公司的機(jī)頂盒已經(jīng)大規(guī)模采用意法半導(dǎo)體集成高清有線調(diào)制解調(diào)器（Cable Modem）芯片-STi7141，該產(chǎn)品集成三網(wǎng)融合和Cable Modem功能，以及雙調(diào)諧器個(gè)人錄像機(jī)（PVR）和視頻點(diǎn)播（VoD）性能，從而實(shí)現(xiàn)低成本且高性能的交互應(yīng)用服務(wù)。

STi7141支持MPEG4/H.264/VC1最新高清廣播標(biāo)準(zhǔn)，集成DOCSIS/EuroDOCSIS Cable Modem，使用戶可以實(shí)現(xiàn)永久在線連接，并支持基于IP 協(xié)議的交互電視服務(wù)和網(wǎng)絡(luò)電話。STi7141具有以太網(wǎng)接口同時(shí)支持DOCSIS3.0的信道綁定功能，可支持寬帶下載、HDMI以及USB。

基于STi7141集成Cable Modem的交互機(jī)頂盒通過(guò)嚴(yán)格測(cè)試，其性能、穩(wěn)定性、低功耗和集成三網(wǎng)融合功能較歌華上一代機(jī)頂盒都取得了很大的進(jìn)步，并且能夠滿足歌華有線當(dāng)前以及可預(yù)期的全部要求。（來(lái)自意法半導(dǎo)體）

X-FAB認(rèn)證Cadence物理

驗(yàn)證系統(tǒng)用于所有工藝節(jié)點(diǎn)

Cadence 設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司近日宣布，晶圓廠X-FAB已認(rèn)證Cadence物理驗(yàn)證系統(tǒng)用于其大多數(shù)工藝技術(shù)。晶圓廠的認(rèn)證意味著X-FAB已在其所有工藝節(jié)點(diǎn)中審核認(rèn)可了Cadence 物理實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的硅精確性，混合信號(hào)客戶可利用其與Cadence Virtuoso和Encounter流程的緊密結(jié)合獲得新功能與效率優(yōu)勢(shì)。

Cadence物理驗(yàn)證系統(tǒng)提供了在晶體管、單元、模塊和全芯片/SoC層面的設(shè)計(jì)中與最終簽收設(shè)計(jì)規(guī)則檢查（DRC）與版圖對(duì)原理圖（LVS）驗(yàn)證。它綜合了業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的端到端數(shù)字與定制/模擬流程，有助于達(dá)成更高效的硅實(shí)現(xiàn)技術(shù)。

通過(guò)將設(shè)計(jì)規(guī)則緊密結(jié)合到Cadence實(shí)現(xiàn)技術(shù)，設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)可以在編輯時(shí)根據(jù)簽收DRC驗(yàn)證進(jìn)行檢驗(yàn)，在其流程中更早地發(fā)現(xiàn)并修正錯(cuò)誤，同時(shí)通過(guò)獨(dú)立簽收解決方案，幫助其在漫長(zhǎng)的周期中節(jié)省時(shí)間，實(shí)現(xiàn)更快流片。Cadence與X-FAB繼續(xù)緊密合作，為其混合信號(hào)客戶提供經(jīng)檢驗(yàn)的簽收驗(yàn)證方案。（來(lái)自Cadence）

泰克公司推出用于MIPI?

Alliance M-PHYSM測(cè)試解決方案

泰克公司近日宣布，推出用于新出臺(tái)M-PHY v1.0規(guī)范的MIPI Alliance M-PHY測(cè)試解決方案。在去年九月推出的業(yè)內(nèi)首個(gè)M-PHY測(cè)試解決方案的基礎(chǔ)上，泰克公司現(xiàn)在又向移動(dòng)設(shè)備硬件工程師提供了一種用于M-PHY發(fā)射機(jī)和接收機(jī)調(diào)試、驗(yàn)證和一致性測(cè)試的簡(jiǎn)單、集成的解決方案。

與那些需要一系列復(fù)雜儀器來(lái)涵蓋全面M-PHY測(cè)試要求的同類M-PHY測(cè)試解決方案相比，泰克解決方案要簡(jiǎn)單得多，只需要一臺(tái)泰克DPO/DSA/MSO70000系列示波器和一臺(tái)AWG7000系列任意波形發(fā)生器。在與Synopsys公司密切合作開(kāi)發(fā)下，泰克“2-box”解決方案提供了在示波器上集成的誤差檢測(cè)（用于接收機(jī)容限測(cè)試）和可再用性（只需進(jìn)行一次設(shè)置，就能進(jìn)行M-PHY，或速度較低的D-PHYSM規(guī)范的測(cè)試）。（來(lái)自泰克公司）

eSilicon 推出28 納米下

1.5GHz處理器集群

eSilicon 公司與 MIPS 科技公司共同宣布，已采用 GLOBALFOUNDRIES 的先進(jìn)低功率 28 納米 SLP 制程技術(shù)進(jìn)行高性能、三路微處理器集群的流片，預(yù)計(jì)明年初正式出貨。MIPS 科技提供以其先進(jìn) MIPS32? 1074KfTM 同步處理系統(tǒng) （CPS） 為基礎(chǔ)的 RTL，eSilicon 完成綜合與版圖，共同優(yōu)化此集群設(shè)計(jì)，可達(dá)到最差狀況 1GHz 的性能水平，典型性能預(yù)計(jì)為約1.5GHz。

為確保在低功耗的條件下達(dá)到 1GHz 目標(biāo)，eSilicon 的定制內(nèi)存團(tuán)隊(duì)為 L1 高速緩存設(shè)計(jì)了自定義的內(nèi)存模塊，用來(lái)取代關(guān)鍵路徑中的標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存。1074K CPS 結(jié)合了兩項(xiàng)高性能技術(shù)─ 同步多處理系統(tǒng)、以及亂序超標(biāo)量的 MIPS32 74K?處理器作為基本 CPU。74K 采用多發(fā)射、15 級(jí)亂序超標(biāo)量架構(gòu)，現(xiàn)已量產(chǎn)并有多家客戶將其用在數(shù)字電視、機(jī)頂盒和各種家庭網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用，也被廣泛地用在聯(lián)網(wǎng)數(shù)字家庭產(chǎn)品中。

即日起客戶可從 eSilicon 取得 1GHz 設(shè)計(jì)的授權(quán) ─ 能以標(biāo)準(zhǔn)或定制化形式供貨。此集群處理器已投片為測(cè)試芯片，能以硬宏內(nèi)核形式供應(yīng)。它包括嵌入式可測(cè)試性設(shè)計(jì) （DFT） 與可制造性設(shè)計(jì) （DFM） 特性，因此能直接放入芯片中，無(wú)需修改就能使用。作為完整 SoC 開(kāi)發(fā)的一部分，它能進(jìn)一步定制化與優(yōu)化，以滿足應(yīng)用的特定需求。（來(lái)自MIPS公司）

科勝訊推出音頻播放 IC 產(chǎn)品線

科勝訊系統(tǒng)公司推出音頻播放芯片 KX1400，可通過(guò)片上數(shù)字音頻處理器和 D 類驅(qū)動(dòng)器直接在外接揚(yáng)聲器中播放 8KHz 的音頻數(shù)據(jù)。作為科勝訊音頻播放產(chǎn)品系列的第一款產(chǎn)品，KX1400 已被混合信號(hào)集成電路和系統(tǒng)開(kāi)發(fā)商 Keterex 公司所收購(gòu)。

科勝訊的音頻播放產(chǎn)品系列非常適用于要求音頻播放預(yù)錄數(shù)據(jù)的大多數(shù)應(yīng)用。無(wú)論是售貨機(jī)、玩具還是人行橫道信號(hào)和互動(dòng)自動(dòng)服務(wù)查詢機(jī)，科勝訊簡(jiǎn)單易用的音頻播放器件都是將音頻功能集成到各類器件和家用電器的絕佳途徑，極大地改善了用戶體驗(yàn)。（來(lái)自科勝訊系統(tǒng)公司）

英特爾與IBM等公司合作，向紐約州

投資44億美元用于450mm晶圓

英特爾、IBM、GLOBALFOUNDRIES、臺(tái)積電（TSMC）以及三星電子五家公司面向新一代計(jì)算機(jī)芯片的研發(fā)等，將在未來(lái)五年內(nèi)向美國(guó)紐約州共同投資44億美元。

這項(xiàng)投資由兩大項(xiàng)目構(gòu)成。第一，由IBM及其合作伙伴領(lǐng)導(dǎo)的計(jì)算機(jī)芯片用新一代以及下下代半導(dǎo)體技術(shù)的開(kāi)發(fā)項(xiàng)目。第二，英特爾、IBM、GLOBALFOUNDRIES、臺(tái)積電以及三星領(lǐng)導(dǎo)的450mm晶圓聯(lián)合項(xiàng)目。五家公司將統(tǒng)一步調(diào)，加速?gòu)默F(xiàn)有的300mm晶圓向新一代450mm晶圓過(guò)渡。與300mm晶圓相比，預(yù)計(jì)利用450mm晶圓后芯片裁切量將增至兩倍以上，制造成本也會(huì)降低。（來(lái)自CSIA）

飛兆半導(dǎo)體下一代單芯片功率模塊

系列滿足2013 ErP Lot 6待機(jī)

功率法規(guī)要求

根據(jù)2013歐盟委員會(huì)能源相關(guān)產(chǎn)品（ErP） 環(huán)保設(shè)計(jì)指令Lot 6的節(jié)能要求，電子設(shè)備在待機(jī)模式下的最大功耗不得超過(guò)0.5W，這項(xiàng)要求對(duì)于PC、游戲控制臺(tái)和液晶電視的輔助電源設(shè)計(jì)仍是一個(gè)重大的挑戰(zhàn)。

有鑒于此，飛兆半導(dǎo)體公司（Fairchild Semiconductor）推出FSB系列AC電壓調(diào)節(jié)器。FSB系列是下一代綠色模式飛兆功率開(kāi)關(guān)（FPSTM），可以幫助設(shè)計(jì)人員解決實(shí)現(xiàn)低于0.5W待機(jī)模式功耗的難題。FSB系列器件通過(guò)集成飛兆半導(dǎo)體的mWSaverTM技術(shù)，能夠大幅降低待機(jī)功耗和無(wú)負(fù)載功耗，從而滿足全球各地的待機(jī)模式功耗指導(dǎo)規(guī)范。

飛兆半導(dǎo)體的mWSaver技術(shù)提供了同級(jí)最佳的最低無(wú)負(fù)載和輕負(fù)載功耗特性，以期滿足全球各地現(xiàn)有的和建議中的標(biāo)準(zhǔn)和法規(guī)，并實(shí)現(xiàn)具有更小占位面積，更高可靠性和更低系統(tǒng)成本的設(shè)計(jì)。（來(lái)自飛兆半導(dǎo)體公司）

愛(ài)特梅爾maXTouch E 系列

助力三星電子Galaxy Note和

Galaxy Tab 7.7觸摸屏

愛(ài)特梅爾公司（Atmel? Corporation）宣布三星電子已經(jīng)選擇maXTouch? E 系列器件為其2011年數(shù)款旗艦智能手機(jī)和平板電腦產(chǎn)品的觸摸屏。繼愛(ài)持梅爾mXT1386助力超薄Galaxy Tab 10.1平板電腦獲得成功之后，三星電子再數(shù)款使用愛(ài)特梅爾maXTouch E 系列的產(chǎn)品，包括：

三星在IFA 2011展會(huì)上Galaxy Note，這是結(jié)合了大型高像素屏幕和智能手機(jī)的便攜性革新性產(chǎn)品。Galaxy Note具有5.3英寸1280x800 高清（HD） Super AMOLED顯示器和同樣引人注目的愛(ài)特梅爾mXT540E控制器，這款控制器具有高節(jié)點(diǎn)密度和32位處理功能，能夠?qū)崿F(xiàn)高分辨率觸摸檢測(cè)和先進(jìn)的信號(hào)處理。舉例來(lái)說(shuō)，新型全屏幕手勢(shì)可讓消費(fèi)者使用手或手掌的邊緣與Galaxy Note互動(dòng)。 （來(lái)自愛(ài)特梅爾公司）

飛思卡爾在未來(lái)i.MX產(chǎn)品中許可使用ARM Cortex-A7和Cortex-A15處理器

飛思卡爾半導(dǎo)體公司宣布將許可使用新型超高效ARM? CortexTM-A7 MPCoreTM處理器，與之前許可使用的Cortex-A15處理器配合使用。飛思卡爾將利用兩個(gè)ARM核心的能效和性能開(kāi)發(fā)其快速擴(kuò)展的下一代i.MX應(yīng)用處理器系列產(chǎn)品。

飛思卡爾計(jì)劃在單核和多核i.MX器件中采用ARM Cortex-A7 和Cortex-A15處理器，提供了軟件和引腳兼容性特性，面向嵌入式、汽車信息娛樂(lè)和智能移動(dòng)設(shè)備應(yīng)用。 針對(duì)性能需求較低的任務(wù)，高性能Cortex-A15處理器可以降低功率，而Cortex-A7處理器則用于處理負(fù)載較輕的處理任務(wù)。通過(guò)采用這種ARM稱之為“Big.LITTLE處理”的方式，片上系統(tǒng)（SoC）可利用同一個(gè)器件中的兩種不同但兼容的處理引擎，允許電源管理軟件無(wú)縫地為任務(wù)選擇合適的處理器。這種方式能幫助降低總體系統(tǒng)功耗，并可以延長(zhǎng)移動(dòng)設(shè)備的電池使用壽命。（來(lái)自飛思卡爾公司）

安捷倫LTE終端一致性

測(cè)試解決方案通過(guò)TPAC標(biāo)準(zhǔn)

安捷倫科技公司近日宣布其 E6621A PXT 無(wú)線通信測(cè)試儀及其 N6070A 系列 LTE 信令一致性測(cè)試解決方案通過(guò)了TPAC標(biāo)準(zhǔn)（測(cè)試平臺(tái)認(rèn)同標(biāo)準(zhǔn)）。

安捷倫 N6070A 系列的用戶可以下載定期的軟件更新，這些更新中包括由歐洲電信標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(huì)（ETSI）為GCF（全球認(rèn)證論壇）和 PTCRB 認(rèn)證項(xiàng)目開(kāi)發(fā)的最新協(xié)議測(cè)試方案。

在LTE 終端設(shè)備研發(fā)設(shè)計(jì)和驗(yàn)證過(guò)程中，用戶可以使用安捷倫 E6621A PXT 無(wú)線通信測(cè)試儀以及安捷倫 N6070A 系列LTE信令一致性測(cè)試解決方案，確保進(jìn)行可靠的協(xié)議認(rèn)證測(cè)試。終端設(shè)備和芯片組制造商可以通過(guò) N6070A 系列執(zhí)行開(kāi)發(fā)測(cè)試、回歸測(cè)試、認(rèn)證測(cè)試以及運(yùn)營(yíng)商驗(yàn)收測(cè)試。N6070A 的用戶現(xiàn)在能夠進(jìn)行經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的認(rèn)證測(cè)試方案，這些測(cè)試方案覆蓋了與頻段級(jí)別Band 13 有關(guān)的 80% 的測(cè)試用例。（來(lái)自中國(guó)電子網(wǎng)）

Spansion公司推出

全新軟件增強(qiáng)閃存系統(tǒng)性能

近日，Spansion公司宣布針對(duì)并行及串行NOR閃存推出全新閃存文件系統(tǒng)軟件――Spansion? FFSTM。Spansion FFS是一款功能齊全的軟件套件，其高性能水平及可靠性配合嵌入式軟件應(yīng)用可自動(dòng)管理讀寫(xiě)、擦除閃存等復(fù)雜操作。Spansion FFS是業(yè)界首款針對(duì)串行NOR閃存開(kāi)發(fā)的閃存文件系統(tǒng)軟件。

Spansion FFS提供最優(yōu)化的系統(tǒng)性能，利用設(shè)備最大化性能提供快速讀寫(xiě)能力。在不影響性能或增加成本的前提下，如何花更少的時(shí)間創(chuàng)造更復(fù)雜的設(shè)計(jì)是如今的嵌入式設(shè)計(jì)人員持續(xù)面臨的挑戰(zhàn)。利用Spansion FFS，軟件工程師可完全獲取Spansion NOR閃存的價(jià)值并調(diào)整產(chǎn)品以提升用戶體驗(yàn)，確保高可靠性。（來(lái)自 Spansion公司）

市場(chǎng)新聞

SEMI硅晶圓出貨量預(yù)測(cè)報(bào)告

近日，SEMI（國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會(huì)）完成了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)年度硅片出貨量的預(yù)測(cè)報(bào)告。該報(bào)告預(yù)測(cè)了2011- 2013年期間晶圓的需求前景。結(jié)果表明，2011年拋光和外延硅的出貨量預(yù)計(jì)為91.31億平方英寸， 2012年預(yù)計(jì)為95.29億平方英寸，而2013年預(yù)計(jì)為99.95億平方英寸（請(qǐng)參閱下表）。晶圓總出貨量預(yù)期在去年高位運(yùn)行的基礎(chǔ)上會(huì)有所增加，并在未來(lái)兩年會(huì)保持平穩(wěn)的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。

SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Stanley T. Myers表示：“由于2011年上半年驚人的出貨勢(shì)頭，2011年的總出貨量預(yù)期將保持在歷史最高水平。雖然現(xiàn)在正處在短期緩沖階段，但預(yù)期未來(lái)兩年仍將保持積極的增長(zhǎng)勢(shì)頭?！保▉?lái)自SEMI）

美國(guó)4G LTE業(yè)務(wù)迅速發(fā)展

將成全球老大

Pyramid Research最新的一份報(bào)告顯示，美國(guó)將成為全球擁有4G LTE用戶最多的國(guó)家。目前全球共有26家運(yùn)營(yíng)商提供4G LTE服務(wù)，而其中用戶最多的三家Verizon Wireless，MetroPCS和AT&T就占據(jù)了47%的市場(chǎng)份額。

Pyramid分析師Emily Smith預(yù)計(jì)，美國(guó)運(yùn)營(yíng)商服務(wù)的LTE用戶為700萬(wàn)人，而全球使用LTE服務(wù)的用戶為1490萬(wàn)人。在2011年，美國(guó)用戶購(gòu)買了540萬(wàn)臺(tái)LTE設(shè)備，是占據(jù)2011年全球LTE設(shè)備出貨量的71%。

LTE在美國(guó)的發(fā)展與Verizon的大力推廣密不可分。同時(shí)用戶需求的增長(zhǎng)也是一個(gè)重要因素。

Smith在報(bào)告中提到了日本的NTT Docomo，這兩家公司都是在2010年12月推出LTE服務(wù)。但在Smith看來(lái)，Verizon的4G網(wǎng)絡(luò)建設(shè)效率更高：“雖然到年底 Verizon網(wǎng)絡(luò)有望覆蓋到全美60%人口，但其過(guò)去一年中的基建等固定資產(chǎn)投入僅占到營(yíng)業(yè)收入的14.7%，而到2012年3月，NTT Docomo的4G網(wǎng)絡(luò)將覆蓋全日本20%人口，但基建等固定資產(chǎn)投入已經(jīng)占到營(yíng)業(yè)收入的15.8%?！?（來(lái)自Pyramid Research）

ARM與TSMC完成首件20納米

ARM Cortex-A15 多核處理器設(shè)計(jì)定案

英商ARM公司與TSMC10月18日共同宣布，已順利完成首件采用20納米工藝技術(shù)生產(chǎn)的ARM Cortex-A15 處理器設(shè)計(jì)定案（Tape Out）。該定案是由TSMC在開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)上建構(gòu)完成的20納米設(shè)計(jì)生態(tài)環(huán)境，雙方花費(fèi)六個(gè)月的時(shí)間完成從寄存器傳輸級(jí)（RTL）到產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案的整個(gè)設(shè)計(jì)過(guò)程。

隨著設(shè)計(jì)定案的完成，ARM公司將提供優(yōu)化的架構(gòu)，在TSMC特定的20納米工藝技術(shù)上提升產(chǎn)品的效能、功率與面積（performance, power and area），進(jìn)而強(qiáng)化Cortex-A15處理器優(yōu)化套件（Processor Optimization Pack）的規(guī)格。相較于前幾代工藝技術(shù)，TSMC的20納米先進(jìn)工藝技術(shù)可提升產(chǎn)品效能達(dá)兩倍以上。（來(lái)自TSMC）

國(guó)家科技重大專項(xiàng)項(xiàng)目2011ZX02702項(xiàng)目啟動(dòng)儀式暨2011年階段性

工作匯報(bào)會(huì)于上海舉行

近日，國(guó)家科技重大專項(xiàng)《極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝》（簡(jiǎn)稱“02專項(xiàng)”）的《65-45nm芯片銅互連超高純電鍍液及添加劑研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化》（編號(hào)2011ZX02702）項(xiàng)目啟動(dòng)儀式暨2011年階段性工作匯報(bào)會(huì)于上海舉行。中科院微電子研究所所長(zhǎng)葉甜春研究員和中科院上海微系統(tǒng)研究所所長(zhǎng)王曦院士率02專項(xiàng)專家組成員出席會(huì)議并作重要講話。上海市科委高新處郭延生處長(zhǎng)、松江區(qū)科委楊懷志主任、上海市集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)蔣守雷常務(wù)副會(huì)長(zhǎng)等領(lǐng)導(dǎo)也出席了會(huì)議。項(xiàng)目責(zé)任單位上海新陽(yáng)半導(dǎo)體材料股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱上海新陽(yáng)）董事長(zhǎng)王福祥、項(xiàng)目協(xié)作單位中芯國(guó)際營(yíng)運(yùn)效率優(yōu)化處助理總監(jiān)陸偉以及復(fù)旦大學(xué)、上海交通大學(xué)、上海集成電路研發(fā)中心等課題單位的領(lǐng)導(dǎo)一同出席會(huì)議。

項(xiàng)目負(fù)責(zé)人、上海新陽(yáng)總工程師孫江燕匯報(bào)了2011年度項(xiàng)目進(jìn)展情況、取得的研發(fā)成果以及項(xiàng)目安排實(shí)施計(jì)劃。與會(huì)專家領(lǐng)導(dǎo)對(duì)項(xiàng)目的技術(shù)水平給予了較高的評(píng)價(jià)，對(duì)項(xiàng)目工作的進(jìn)展給予了較高的認(rèn)可，對(duì)上海新陽(yáng)的發(fā)展戰(zhàn)略及取得的成績(jī)表示高度贊賞，對(duì)項(xiàng)目今后的工作開(kāi)展提出了指導(dǎo)性意見(jiàn)。會(huì)后，葉甜春所長(zhǎng)還興致勃勃地參觀了上海新陽(yáng)。

上海新陽(yáng)董事長(zhǎng)王福祥代表項(xiàng)目責(zé)任單位對(duì)出席活動(dòng)的專家與領(lǐng)導(dǎo)表示熱烈歡迎與衷心感謝。他表示將一如既往地堅(jiān)持既定發(fā)展戰(zhàn)略，借助國(guó)家科技重大專項(xiàng)的支持，借助公司上市的契機(jī)，加大研發(fā)投入，加大創(chuàng)新步伐，和各協(xié)作、課題單位緊密合作，如期完成02專項(xiàng)任務(wù)，如期完成上市募投項(xiàng)目，不辜負(fù)國(guó)家、政府及各級(jí)領(lǐng)導(dǎo)、專家的信任與期望，不辜負(fù)廣大用戶和投資者的重托，為國(guó)家社會(huì)經(jīng)濟(jì)發(fā)展作出更大的貢獻(xiàn)。（來(lái)自CSIA）

北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商

2011年9月訂單出貨比為0.75

國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備材料協(xié)會(huì)（SEMI）日前公布，2011年9月北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商接獲訂單9.848億美元，訂單出貨比（Book-to-Bill ratio）初估為0.75, 為連續(xù)第12個(gè)月低于1； 0.75意味著當(dāng)月每出貨100美元的產(chǎn)品僅能接獲價(jià)值75美元的新訂單。這是北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商BB值連續(xù)第5個(gè)月呈現(xiàn)下跌。

SEMI這份初估數(shù)據(jù)顯示，9月北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商接獲全球訂單的3個(gè)月移動(dòng)平均金額為9.848億美元，較8月上修值（11.6億美元）減15.3%，并且較2010年同期的16.5億美元短少40.4%。

9月北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商3個(gè)月移動(dòng)平均出貨金額初估為13.1億美元，創(chuàng)2010年6月以來(lái)新低；較8月上修值（14.6億美元）短少9.8%，并且較2010年同期的16.1億美元短少18.4%。

“訂單和出貨金額均在持續(xù)下降，差不多已于2009年底持平”,SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Stanley T. Myers指出，“雖然設(shè)備制造商在持續(xù)投資先進(jìn)技術(shù)，但更大的投資力度需取決于全球經(jīng)濟(jì)前景的穩(wěn)定”

SEMI訂單出貨比為北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商接獲全球訂單的3個(gè)月平均接單與出貨的比例。出貨與訂單數(shù)字以百萬(wàn)美元為單位。

本新聞稿中所包含的數(shù)據(jù)是由一家獨(dú)立的金融服務(wù)公司David Powell, Inc.協(xié)助提供，未經(jīng)審計(jì)，直接由項(xiàng)目參與方遞交數(shù)據(jù)。SEMI和David Powell, Inc.對(duì)于數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性，不承擔(dān)任何責(zé)任。（來(lái)自SEMI）

2011年中國(guó)MEMS消費(fèi)增長(zhǎng)速度下降

據(jù)IHS iSuppli公司的中國(guó)研究報(bào)告，中國(guó)政府抑制經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)和控制通脹的行動(dòng)，將導(dǎo)致中國(guó)2011年MEMS購(gòu)買活動(dòng)放緩。

中國(guó)2010年MEMS消費(fèi)增長(zhǎng)33%，預(yù)計(jì)2011年增長(zhǎng)速度將下降到10%。盡管放緩，但該市場(chǎng)仍保持健康的擴(kuò)張速度，預(yù)計(jì)2011年中國(guó)MEMS銷售額將達(dá)到16億美元，高于2010年的15億美元。到2015年，中國(guó)MEMS銷售額將達(dá)到26億美元，2010-2015年復(fù)合年度增長(zhǎng)率為12.1%，如下圖所示。

由于全球宏觀經(jīng)濟(jì)形勢(shì)惡化，中國(guó)政府最近對(duì)信貸采取謹(jǐn)慎立場(chǎng)，今年中國(guó)MEMS市場(chǎng)不會(huì)重現(xiàn)2010年那樣的強(qiáng)勁增長(zhǎng)。接下來(lái)的幾年，將有三個(gè)趨勢(shì)影響中國(guó)MEMS銷售額增長(zhǎng)：

第一，MEMS產(chǎn)品將通過(guò)提供令人渴望的特點(diǎn)和創(chuàng)新功能讓消費(fèi)者獲得新的體驗(yàn)，比如在家用電器和手機(jī)中提供微型投影儀。

第二，隨著更多的供應(yīng)商加入這個(gè)市場(chǎng)，以及MEMS技術(shù)及生產(chǎn)工藝的改善，生產(chǎn)成本將快速下降，就像加速計(jì)在最近兩年的表現(xiàn)那樣。這將推動(dòng)市場(chǎng)的增長(zhǎng)。

最后，對(duì)智能手機(jī)和平板電腦等熱門(mén)產(chǎn)品的需求增長(zhǎng)，將促進(jìn)MEMS市場(chǎng)的擴(kuò)張。

未來(lái)幾年，中國(guó)市場(chǎng)上增長(zhǎng)最快的MEMS領(lǐng)域?qū)⑹鞘謾C(jī)與消費(fèi)市場(chǎng)的麥克風(fēng)、加速計(jì)和陀螺儀。IHS公司預(yù)計(jì)，2015年該市場(chǎng)的MEMS銷售額將達(dá)到13億美元，2011-2015年復(fù)合年度增長(zhǎng)率為21%。

增長(zhǎng)第二快的領(lǐng)域?qū)⑹瞧嚺c工業(yè)MEMS市場(chǎng)，預(yù)計(jì)2011-2015年復(fù)合年度增長(zhǎng)率分別為14%和12%。（來(lái)自IHS iSuppli）

Gartner：全球半導(dǎo)體銷售額急速放慢

Gartner近日?qǐng)?bào)告稱，2011年全球半導(dǎo)體銷售額已經(jīng)放慢，總營(yíng)收約為2990億美元，比2010年下降了0.1%。這項(xiàng)新的報(bào)告比Gartner今年第二季度作出的預(yù)測(cè)有所變化，此前Gartner預(yù)測(cè)全球半導(dǎo)體銷售額今年會(huì)上漲5.1%。

Gartner對(duì)PC生產(chǎn)量的增長(zhǎng)預(yù)期也在下調(diào)，上個(gè)季度，Gartner預(yù)計(jì)PC產(chǎn)量增長(zhǎng)率為9.5%，目前Gartner將其下調(diào)為3.4%，Gartner同時(shí)也下調(diào)了手機(jī)生產(chǎn)量增長(zhǎng)預(yù)測(cè)，第二季度預(yù)期增長(zhǎng)率為12.9%，最新預(yù)測(cè)的增長(zhǎng)率為11.5%。

由于PC需求和價(jià)格的下滑，使DRAM受到嚴(yán)重影響，預(yù)測(cè)2011年將下滑26.6%。NAND flash閃存和數(shù)據(jù)處理ASIC是今年增長(zhǎng)最塊的，約為20%，這主要受益于智能手機(jī)和平板電腦的強(qiáng)勁需求。

Lewis說(shuō)：“由于對(duì)日益惡化的宏觀經(jīng)濟(jì)預(yù)期，我們已經(jīng)下調(diào)了2012年半導(dǎo)體的增長(zhǎng)預(yù)測(cè)，從8.6%降至4.6%。由于美國(guó)經(jīng)濟(jì)的二次衰退可能性上升，銷售預(yù)期也進(jìn)一步惡化，Gartner正在密切監(jiān)控IT和消費(fèi)者方面的銷售趨勢(shì)，看有無(wú)顯著的衰退跡象。（來(lái)自SICA）

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